专业半导体存储企业推出mSSD产品,采用SiP系统封装架构,将NAND闪存、主控芯片等高度集成于单一封装内,相比传统PCBA SSD体积缩小1000倍,实现一体化。该产品已提供PCIe Gen4/Gen5不同级别存储方案,其中PCIe Gen5版本可实现11GB/s和10GB/s顺序读写性能,为AI终端设备提供高效存储支持。
针对AI高负载场景的高热挑战,该企业采用石墨烯散热片、VC均温板等复合散热方案,确保PCIe Gen5版本在高强度读写时稳定运行。该技术突破有望降低存储行业功耗,推动边缘AI存储新标准。目前mSSD已进入头部移动终端和行业客户验证阶段,未来将持续优化封装散热技术,为边缘AI提供存储方案。
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原文来源:中国经济时报-产业资讯
原文链接:https://www.cet.com.cn/wzsy/cyzx/10456175.shtml
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